Miniaturisation des processeurs : prochaine étape en 2003
Les principaux fondeurs envisagent déjà d'utiliser le processus de fabrication à 90 nanomètres dans leurs usines dès la deuxième moitié de 2003. La limite des 32 nanomètres pourrait être franchie en 2009 avec le passage aux ultraviolets extrêmes.
La loi de Moore, qui veut que le nombre de transistors doublent tous les dix-huit à vingt-quatre mois, en a encore au moins pour six ans. En effet, alors que le gros de la production des semi-conducteurs vient juste de passer au processus de fabrication à 0,13 micron, voici que les fondeurs dévoilent déjà leurs avancées pour la prochaine technologie qui atteindra un pas de 0,09 micron ou 90 nanomètres (nm)." L'amélioration du processus de fabrication nous permet de diminuer la taille des transistors de 30 % tous
les deux ans. Nous prévoyons déjà de livrer une puce contenant 1 milliard de transistors en 2007 [contre 221 millions pour McKinley, NDLR] ", explique Rob Willoner, analyste technologique chez Intel.Intel n'est pas le seul à avoir avancé dans ce domaine. Texas Instruments (TI) et l'alliance Philips-ST Microelectronics-TSMC, qui intègre aussi les équipes de recherche du CEA et de France Télécom R&D, ont également annoncé leurs premiers prototypes à 90 nm." Nous sommes les seuls à atteindre 330 millions de transistors sur une puce SRAM, qui est le prototype de référence pour tester un processus de fabrication ", insiste Rob Willoner.Le fabricant, qui dépense 4 milliards de dollars par an rien que pour coller à la loi de Moore, entend déployer le processus à 90 nm en production dès l'été 2003 alors que Texas Instruments vise plutôt la fin de l'année prochaine.
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