Intel et Samsung développent la mémoire du futur... depuis plusieurs décennies

MRAM
 
Des modules mémoire de MRAM signés par Everspin, d'une capacité de 1 Gigabit. - Everspin/Business Wire

Intel et Samsung ont profité d'un événement américain autour des semi-conducteurs pour présenter leurs avancées en matière de MRAM, la mémoire magnétique en élaboration depuis plusieurs dizaines années et qui incarne l'une des solutions de stockage du futur.

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