Intel grave en 90 nanomètres
Le fabricant a annoncé avoir fabriqué en laboratoire des mémoires statiques (SRAM) qui comportent 330 millions de transistors, pour une capacité de 52 millions de bits, avec une technologie de gravure de 0,09 micron contre 0,13 aujourdhui. Ces mémoires sont quatre fois plus petites que les mémoires cache employées dans les Itanium. La production en…
