Membre du consortium SRAM QDR, Samsung a annoncé que sa mémoire SRAM QDR destinée aux réseaux haut débit (jusqu’à 10 Gbit/s) serait produite avant la fin de cette année. Cette mémoire dite Quad Data Rate (QDR) fonctionne à une fréquence de 200 MHz et peut traiter jusqu’à quatre fois plus de données que la génération précédente.La particularité de ce composant de 16 Mbits provient du fait qu’il possède deux ports distincts qui fonctionnent indépendamment à double vitesse. Cela permet de transmettre jusqu’à quatre fois plus de données par cycle d’horloge. A la différence des SRAM conventionnelles, les processus d’entrée et de sortie sont séparés afin d’éviter la collision des données pendant leur transmission (encombrement du bus en cas de conflits de priorité).Pour l’heure, les composants produits auront une capacité de 16 Mbits (il faudra associer huit composants pour atteindre une capacité mémoire de 16 Mo) et Samsung utilisera un boîtier d’une taille de 13 mm x 15mm, presque deux fois plus petit que ceux de la SRAM conventionnelle. Les caractéristiques des boîtiers qui accueilleront les futures SRAM de 128 Mbits seraient par ailleurs déjà définies.Le consortium, où siègent également Micron Technology, Cypress Semiconductor, Nec et IDT, estime que la SRAM QDR est appelée à devenir rapidement un standard. Il revendique par ailleurs 70 % de la production mondiale pour la mémoire SRAM.
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