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Samsung, géant de la mémoire, mise sur sa MRAM ultrarapide pour améliorer nos objets connectés

Samsung Foundry, la division en charge de la fabrication de composants du géant coréen, travaille depuis un moment sur la mémoire MRAM. Ses récentes avancées en la matière le poussent à orienter une partie de sa stratégie et de sa production sur cette voie pour parvenir à imposer ce type de mémoire novateur.

La MRAM, va-t-elle un jour prendre la place de la DRAM pour de bon dans nos appareils ? C’est en bonne voie. Lors du salon virtuel SEMICON de Corée du Sud, l’ingénieur en chef des fonderies de Samsung – Han Shin-hee – a déclaré que Samsung allait sérieusement mettre la barre vers ce cap dans les années à venir.

Le Coréen veut concentrer une bonne partie de ses efforts à produire de la mémoire de plus en plus efficace, grâce à des procédés de gravure plus complexes en cours de développement (28 nm actuellement).

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Samsung, qui produit déjà ce type de mémoire, ne le fait qu’à petite échelle. Il équipe certaines plates-formes d’objets connectés ou d’IA sans oublier les microcontrôleurs fabriqués par l’entreprise néerlandaise NXP, son principal client pour ce type de produits. NXP sur lequel Samsung pourrait mettre prochainement la main, si l’on se fie aux dernières rumeurs. 

Pourquoi la MRAM est la mémoire du futur

La MRAM, pour Magnetosensitive Random-Access Memory, a cinq atouts par rapport à la DRAM (Dynamic Random-Access Memory).

  • Elle est non-volatile (comme nos disques durs ou SSD),
  • Elle est jusqu’à 1000 fois plus rapide que la DRAM ou la Flash,
  • Elle n’est pas obligée d’effacer les données préalablement stockées avant de pouvoir en héberger d’autres,
  • Elle ne consomme que très peu d’énergie
  • Elle est théoriquement inusable.

Son plus gros point faible ? Elle est incapable – pour le moment – de stocker de grandes quantités de données. C’est pour cela qu’on la cantonne à de petits objets dont les composants n’ont pas besoin d’archiver beaucoup de data.

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La DRAM, pour rappel, héberge les données sous forme de charges électriques et les oublie dès qu’elle n’est plus alimentée.

Pour faire simple, la MRAM stocke les données en utilisant le principe d’orientation magnétique et les conserve de manière durable, avec ou sans courant, comme nous l’expliquions dans notre article paru fin 2018, lorsque Samsung et Intel avaient dévoilé leurs avancées en la matière.

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Pressentie pour être la remplaçante de la DRAM et de la mémoire Flash depuis plusieurs années, la MRAM est devenue la prochaine conquête que Samsung souhaite mener à bien. Le Coréen va redoubler d’efforts pour investir ce marché qui, selon les dernières analyses, pourrait s’évaluer à 1,2 milliard de dollars en 2024.

Source : TheElec

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