Pour isoler les divers transistors, INTEL emploi maintenant un nouvel oxyde métallique : l'AFNIUM, par dépot èlectrolityque, a la place du dioxyde de silicium par le passé. Pour mémoire l'oxyde d'aluminium ( l'alumine ) est un très bon isolant. Donc un très bon diélectrique!...et un très mauvais conducteur de l'électricité. Ceci permet de limiter les pertes du à isolement imparfait entre les transistors gravés à 45 nanomètres les un des autres.