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SanDisk et HP s’associent pour créer une mémoire 1000 fois plus rapide

Le nouveau type de mémoire devrait remplacer la mémoire flash dans les SSD, mais aussi la mémoire vive DRAM des ordinateurs.

Après Intel et Micron, c’est au tour de HP et SanDisk de se lancer dans la conception d’une nouvelle génération de mémoire. L’objectif est ambitieux : proposer une mémoire 1000 fois plus rapide que la mémoire flash actuelle et 1000 fois plus endurante. Ce niveau de performance permet également de proposer une alternative moins coûteuse à la mémoire DRAM, utilisée comme mémoire vive dans les ordinateurs et les appareils mobiles.

Pour cela, les deux constructeurs vont combiner leurs technologies respectives : Memristor pour HP et ReRAM pour SanDisk. Considéré comme le graal de l’électronique, le Memristor est un composant encore théorique qui a la particularité d’avoir une valeur de résistance qui change lorsqu’un courant est appliqué. Valeur qui peut être ensuite interprétée comme un « 0 » ou un « 1 ». HP a prouvé en 2008 qu’il était possible de fabriquer des Memristors, et travaille depuis ardemment à leur développement.

Les deux constructeurs n’ont pas donné plus de détails sur cette nouvelle technologie commune, mas visent surtout les sociétés dotées de data centers avec des offres de futurs SSD parfaitement adaptés à gérer des flots massifs de données… avant, peut-être, de proposer leurs produits au grand public.

HP et SanDisk ne comptent pas proposer leur technologie à d’autres constructeurs. Il va surtout falloir être patient car les premiers produits ne sont pas attendus… avant 2020.

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François BEDIN