‘ Avec son ordinateur portable, son iPod, sa voiture, son téléphone, sa cuisine…, chacun de nous fait travailler plusieurs milliards de transistors chaque jour ‘, explique Jesus del Alamo, chercheur au MIT(Massachusetts Institute of Technology). Avant d’annoncer que ces transistors vont atteindre leurs limites d’ici dix à quinze ans, en termes de taille et de performances.Aussi travaillent-ils actuellement sur de nouveaux matériaux qui seraient capables d’augmenter la vitesse de conduction du silicium pour des appareils qui eux vont devenir de plus en plus petits.L’arseniure de gallium et indium (InGaAs) permettrait ainsi aux électrons de transiter plus rapidement qu’avec le silicium. Les ingénieurs du MIT ont récemment démontré que l’InGaAs permet à un transistor de seulement 60 nanomètres de transporter deux fois et demie plus de courant que les actuels transistors en silicium.Reste à savoir si la production en masse des transistors sera possible en dépit de la fragilité de lInGaAs
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