Intel livrera cette année une nouvelle génération de puces, nom de code « Penryn » , caractérisées par une gravure à 45 nm. Pour atteindre cette finesse, le constructeur a dû modifier l'élément de base d'un processeur, le transistor. Celui-ci est composé de trois électrodes : la source, le drain et la grille, laquelle, suivant la tension qu'on lui applique, laisse ou non passer le courant entre drain et source. La grille est constituée d'une couche isolante de silice (SiO 2 ), d'une couche de silicium poly-cristallin, et d'une couche conductrice. Mais, à mesure qu'elle s'amincit, la couche isolante l'est de moins en moins, et laisse s'échapper des électrons, ce qui nuit à la consommation.

Épaissir cette couche isolante réduirait les fuites, mais aussi les performances du transistor, (sa rapidité à commuter). Intel va donc remplacer la silice par un matériau à base d'hafnium (Hf), un élément employé dans les lampes à incandescence. Il présente une constante diélectrique supérieure à celle de la silice, ce qui permet d'utiliser une couche plus épaisse sans nuire aux performances. L'hafnium étant incompatible avec le silicium polycristallin, Intel remplace ce dernier par un alliage métallique. « C'est le plus grand changement dans la technologie des transistors depuis l'introduction de grilles en silicium polycristallin dans les transistors MOS à la fin des années soixante » , a commenté Gordon Moore, cofondateur d'Intel. Une technique pas si nouvelle : en 2005, le Leti, laboratoire du CEA à Grenoble, a produit des transistors comparables. IBM a emboîté le pas à Intel. Moins bavard, il affirme qu'il débutera en 2008 la production de transistors comportant un matériau à permittivité élevée et une électrode métallique.